三星作为全球闪存芯片的龙头企业，近日宣布计划扩大其 NAND 闪存芯片的生产。三星计划投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能，应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求。
据消息，新工厂在前月已开始动工，三星表示闪存芯片的需求量会因 5G、人工智能以及万物互联的发展而迅速增长，而新工厂 V-NAND 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始。分析师表示，三星会为新工厂投资 7-8 万亿韩元(约合人民币 407-465 亿)，建成后，这条生产线会满足 NAND 闪存芯片的中期和长期需求。三星的平泽工业园区，已经是世界其中两条最庞大的闪存及内存芯片生产线所在地。不过，随着需求量的不断扩大，三星仍然会对其进一步投资。
在过去18年，三星一直是存储芯片领域的领导者，他们最近还官宣了最新的存储芯片技术——业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时，芯片密度更高。
三星电子存储全球营销副总裁 Cheol Choi 表示：“这次投资，再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻，我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案，同时为整个 IT 行业和经济增长做出贡献。”
至于后者，三星计划将其位于韩国京畿道华城的 DRAM 生产线的其中一条转产至生产感光元件，由于 DRAM 生产线与感光元件的生产流程有 80% 左右接近，因此用于生产 DRAM 的材料以及相关设备均可用于生产感光元件。
本次转产在新设备安装测试后，最快将在今年开始量产，而三星需要为转产花费 1 万亿韩元(约合人民币 58 亿)的成本。